我
- 正确
- 错误
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- 错误
- 正确
- 错误
- 正确
- 错误
- A.简单he(牙合)架
- B.平均值he(牙合)架
- C.半可调he(牙合)架
- D.全可调节he(牙合)架
- E.全功能he(牙合)架
- A.金-塑交界面受应力作用较小
- B.内外阶台应有适当的错位
- C.内外阶台设置的位置应首先保证支架的强度
- D.内外阶台的角度应小于90°
- E.内外阶台的最佳角度为75°
- A.牙槽嵴吸收
- B.印模或模型不准确
- C.磨光时产热过高，基托变形
- D.热处理后开盒过早，基托变形
- E.磨光或初戴修改时，没有磨改基托组织面
- A.安插铸道应避免蜡刀破坏熔模，造成缺损变形
- B.安插铸道时，铸道与熔模的连接处应粗糙、尖锐
- C.铸道与熔模的连接要有一个角度，切忌铸道与熔模的轴面形成直角
- D.铸道的设置应充分考虑到能使液态金属顺畅无阻的流入型腔的各个部分
- E.为了有利于熔模的铸造，铸道的形态一般选择断面为圆形的蜡线
- A.对颌有第三磨牙的一般需要恢复第三磨牙
- B.注意使人工牙排列在牙槽嵴颊侧
- C.排牙要注意保护余留牙以及牙槽嵴
- D.排牙要注意适当升高人工牙he(牙合)面的牙尖高度
- E.尽量缩短游离端的长度以防止义齿不稳定
- A.附着在熔模组织面的气泡会直接影响到修复体的精度
- B.包埋过程中附着在熔模磨光面的气泡不会影响到修复形态细微结构
- C.液体过多，则空气在调拌时更容易混入包埋材料
- D.液体过少，包埋材料流动较差，易将空气包裹在材料中
- E.采用真空调拌与灌注，可最大限度的防止气泡的混入
- A.咬合过高
- B.基牙受扭力，接触点紧
- C.桥体龈端接触过紧
- D.粘固剂过厚
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钯银合金最佳铸造时机是
- A.加热5min左右
- B.合金表面表面氧化膜开始冲破
- C.合金表面表面氧化膜面积开始缩小
- D.合金表面氧化膜退至坩埚边缘
- E.合金表面氧化膜完全消退
- A.崩瓷
- B.遮色瓷暴露
- C.在金瓷之间产生台阶
- D.刺激患者的口腔软组织
- E.聚集食物残渣以及黏附菌斑
- A.各轴面完全平行
- B.向轴方聚合5°
- C.向轴方聚合2~5°
- D.向轴方聚合10°
- E.将牙的最大凸度降在颈缘处
- A.静摩擦力
- B.范德华力
- C.化学结合力
- D.机械结合力
- E.以上都正确
- A.塑料充塞的时期不当
- B.基托伸展过长
- C.基托过薄
- D.弯制卡环时模型被磨损
- E.未放置卡环
- A.上颌结节颊侧
- B.上颌硬区
- C.下颌隆凸
- D.磨牙后垫
- E.内斜嵴
- A.正装法
- B.反装法
- C.混装法
- D.以上都可以
- E.以上均不正确
- A.可以防止食物进入龈端，利于清洁。非功能状态时，桥体龈端对黏膜无静压力;咀嚼时，对黏膜组织有轻微压力，可促进组织健康
- B.可以防止菌斑附着，避免刺激黏膜组织
- C.可防止食物滞留，利于自洁
- D.有良好的口感，利于美观
- E.以上说法均错误
- A.隙卡沟、he(牙合)支托凹制备不足
- B.卡环臂本身结构缺陷
- C.卡环臂进出的倒凹较小
- D.卡环臂或he(牙合)支托磨改后过细、过薄、或者粗细不匀
- E.弯制卡环时在某一位点上反复弯曲
- A.色相
- B.明度
- C.色谱
- D.色差
- E.饱和度
- A.淡蓝色
- B.白垩色
- C.淡黄色
- D.浅红色
- E.浅灰色
- A.切割牙体组织少
- B.耐磨耗
- C.吸水性小
- D.颜色协调、制作简单
- A.上、下牙槽嵴吸收程度
- B.上、下颌弓的垂直关系
- C.垂直距离的大小
- D.上、下颌弓的水平关系
- E.上、下颌弓的形态
- A.1/2
- B.2/3
- C.1/3
- D.1/4
- A.后堤区位于软硬腭的前后颤动线之间
- B.上颌全口义齿组织面在后堤区形成后堤，有边缘封闭作用
- C.后堤区通常呈弓形，其后界中部约位于腭小凹处
- D.后堤区外端为覆盖翼上颌切迹的粘膜凹陷
- E.在模型颤动线处切1～1.5mm的切迹，将模型前份5mm内刮去一层，愈向前刮除愈多
- A.湿砂期
- B.粘丝期
- C.面团期
- D.橡皮期
- E.坚硬期
- A.可用作咬合面重建
- B.可用于保护薄弱牙尖
- C.常用箱形、钉洞固位
- D.可用于前后牙
- E.(牙合)面至少应预备0.5～1.0mm
- A.he(牙合)平面是指上颌中切牙的近中切角与两侧上颌第二磨牙远颊尖三点所构成的假想平面
- B.正常情况下，he(牙合)平面前部位于上唇下约2mm，且与两眼平视时瞳孔连线平行
- C.he(牙合)平面一般约等分颌间距离，上下牙列he(牙合)平面至上下牙槽嵴的距离大致相等
- D.某一颌骨牙槽嵴吸收较多时，应当调整he(牙合)平面的位置，使靠近吸收较多的一侧
- E.he(牙合)平面前高后低，行使功能时由于he(牙合)力的作用下颌义齿会被推向前
- A.水雾冷却
- B.间歇切割
- C.短时切割
- D.轻压磨切
- E.以上都对
- A.修复体正中he(牙合)时应完全去除咬he(牙合)高点
- B.采用小直径的磨具进行大面积、片状调磨
- C.选用与金属配套的包埋材料
- D.严格按照包埋要求进行操作
- E.找准he(牙合)面早接触点，仔细调磨
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轴面角是指( )
- A.牙冠上两面相交于一线的角
- B.牙冠上两轴面相交于一线的角
- C.牙冠上三面相交于一点的角
- D.牙冠上通过牙体长轴与各面所成的角
- A.与合力大小有关
- B.与咀嚼部位有关
- C.与咀嚼习惯有关
- D.与失牙原因和时间有关
- E.与患者健康状况有关
- A.简单he(牙合)架
- B.平均值he(牙合)架
- C.半可调he(牙合)架
- D.全可调节he(牙合)架
- E.全功能he(牙合)架
- A.金瓷交界处过度抛光有可能使遮色瓷暴露
- B.金-瓷交界处调整的目的就是形成金瓷衔接的流畅性，消除金瓷之间的台阶
- C.抛光时使用抛光石轮从交界线向金属边缘打磨，否则金属颗粒会污染瓷层
- D.金-瓷交界处在上釉前没有抛光，很可能在最后抛光过程中要调改该区的瓷
- E.釉瓷烧结后再打磨会暴露未上釉的瓷，还可以像釉瓷一样光滑
- A.唇面切1/3 与舌面颈1/3
- B.唇面颈1/3与舌面切1/3
- C.唇面颈1/3与舌面颈1/3
- D.唇面中1/3与舌面中1/3
- A.构瓷时间不得过长，各步构瓷操作应力求准确无误，以免影响色泽及烧结质量
- B.邻接面回切时首先用牙本质瓷恢复牙冠外形，然后再切削它形成釉质瓷和透明瓷的间隙
- C.桥的瓷层构筑多采用一次烧结成形的方法
- D.由于桥瓷体积较大，正式烧结之前应增加干燥时间
- E.烧结时，烤瓷桥瓷体应稳定的放置在烧结盘上，并确保每一颗基牙都得到支撑
- A.减小桥体颊舌径宽度
- B.牙合面的舌侧边缘嵴处添加副沟
- C.加厚桥体金属层
- D.扩大牙合面舌外展隙
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解剖式牙的牙尖斜度约
- A.0°
- B.10°
- C.20°
- D.30°
- E.45°
- A.④①③②⑤
- B.④②⑤①③
- C.②④⑤①③
- D.⑤④②①③
- E.①③②④⑤
- A.金属过熔
- B.包埋料粉液比不当，液体过多
- C.未使用真空搅拌机搅拌包埋材料
- D.将蜡型表面清洗剂吹干后进行包埋
- E.蜡型包埋时未使用蜡型清洗剂除去蜡型表面张力
- A.火焰尖端应尖而细
- B.喷灯距蜡型表面不能太近
- C.火焰方向在牙间隙处可垂直走向
- D.火焰方向在边缘和腭侧可水平走向
- E.保持整个蜡型表现呈微有流动性状态
- A.使根部微微突起形成牙根外形
- B.后牙根部外形尽量明显
- C.雕刻成形时根部外形切忌太长、太突
- D.上颌前牙根部外形以尖牙最长，中切牙次之，侧切牙最短
- E.下颌前牙根部外形为尖牙最长，侧切牙次之，中切牙最短
- A.200～300ml
- B.300～500ml
- C.550～700ml
- D.800～990ml
- E.1000～1500ml
- A.刀边石
- B.轮形石
- C.细砂卷
- D.柱状砂石
- E.大号磨头
- A.修复体的边缘与预备体十分密合
- B.修复体要高度磨光
- C.修复体龈缘要薄
- D.以上都是
- A.1～3㎜的间隙
- B.3～5㎜的间隙
- C.5～8㎜的间隙
- D.8～10㎜的间隙
- E.10～15㎜的间隙
- A.支点线成直线形
- B.基牙位于牙弓后端
- C.基牙位于牙弓一侧
- D.基牙集中
- E.支点线成平面形
- A.选择体积较小的人工牙
- B.磨短人工牙的远中部分
- C.避免产生过大的he(牙合)力
- D.防止义齿不稳定损伤基牙和牙槽嵴
- E.选择的人工牙he(牙合)面具有明显的尖、嵴
