小径管环焊缝双壁双影透照时，适合的曝光参数是( )

DL/T821-2002规定，外径小于或等于76mm的管子，其对接接头透照应采用规定的Ⅰ型或Ⅱ型专用象质计。( )

当对接接头两侧的母材厚度不同时，应取较厚侧的厚度为评片的依据。( )

按DL/T821-2002标准规定，在评定框尺内，同时存在几种类型缺陷时应综合评级，即各自评级，将级别之和减1作为最终评级。( )

使用被划伤的铅箔增感屏照相，底片上会出现与划伤相应的清晰的黑线。( )

射线底片上产生黑的月牙形痕迹的原因可能是曝光后使胶片弯曲。( )

背散射线的存在会影响底片的对比度。通常可在工件和胶片之间放置一个铅字B来验证背散射线是否存在。( )

为保持显影性能的稳定，可采用定期添加补充液的方法进行，但添加补充液的总量不允许超过原显影液体积的3倍。( )

对曝光不足的底片，可采用增加显影时间或提高显影温度的方法来增加底片黑度，从而获得符合要求的底片。( )

半衰期是指放射性物质原子数转变为原来的一半所需的时间。( )

小径管双壁透照的要点是选用较高管电压、较低曝光量，其目的是减小底片反差，扩大检出区域。( )