考试:CMOS模拟与混合集成电路设计

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  • 卷面总分:100分
  • 试卷类型:真题考试
  • 测试费用:免费
  • 答案解析:是
  • 练习次数:0次
  • 作答时间:0分钟
试卷简介
暂无介绍
试卷预览
1
单位时间里,通过单位电流截面的电荷数是( )
  • A.   电荷质量
  • B.   电荷密度
  • C.   电荷流量
  • D.   电导率
5
芯片制造工艺的基本步骤包括( )
  • A.   氧化
  • B.   离子注入
  • C.   腐蚀
  • D.   扩散
5
互联网时代的特点有( )
  • A.   数字信号处理
  • B.   非实时性
  • C.   微处理器
  • D.   数字I/O
1
( )反映了MOS管的电流随漏极电压的增高而变大的客观事实
  • A.   体效应
  • B.   衬底效应
  • C.   亚阈值效应
  • D.   沟道长度调制效应
5
CMOS的特点包括( )
  • A.   速度比较慢
  • B.   低密度
  • C.   低功耗
  • D.   低成本
5
兼容的PNP晶体管的基本构造是( )
  • A.   发射极(N阱)
  • B.   发射极(P+注入物)
  • C.   集电极(P型衬底)
  • D.   集电极(N型衬底)
1
在集成电路版图设计当中使用( ),能很好的控制比值的准确性
  • A.   参数复制法
  • B.   有源器件
  • C.   图形复制法
  • D.   无源器件